シリコンウェーハ Silicon wafer

シリコンウェーハは半導体集積回路の主要素材であり、生産量が多いのは単結晶シリコンウェーハです。柱状のインゴットが精錬され、スライス、研磨を経て、厚さが一定した鏡のようなシリコンウェーハになります。シリコンウェーハは導電しませんが、適切にイオンを加えると正負の電極ができ、電子の流れを制御できるようになります。半導体にはN型とP型があります。N型は電子が多すぎるので（自由電子という）、電子が自由に流れます。P型は電子が不足した状態により形成された正孔（ホール）で、正孔の不足を補うため、電子が自由に移動して電流が発生します。(叫做自由電子)，可以使達到電子自由流通目的，另外P型半導體是電子不足的狀態所形成之電孔，為了彌補電孔之不足，會使電子自由移動而產生電流。

仕様

銳隆シリコンウェーハ【インチ別齊全】2インチ/3インチ/4インチ/5インチ/6インチ/8インチ/12インチ

銳隆シリコンウェーハ【規格齊全】P/N/無摻雜/100/111/110/0.0001-20000Ω·cm

銳隆シリコンウェーハ【厚度齊全】50um/100um/200um/300um/400um/525um/725um/1mm/2mm

銳隆シリコンウェーハ【客製化鍍膜】単面双面オキシデーション自選, オキシデーション層厚さ自選,鍍膜種類厚さ自選。

銳隆シリコンウェーハ【客製化カット】サイズ形状自選1mm*1mm~200*200mm

銳隆シリコンウェーハ【種類齊全】単双研磨単オキシデーション.単双研磨単窒化.シリコンオキシド片.窒化シリコン片.SOIシリコン/銅ニッケル金プラチナシリコン片鍍膜/砷化ガリウム等III-V族とゲルマニウム片。

適用産業

集積回路半導体の原料、DRAM、フォトダイオード、分離型ユニット、ソーラー電池の基板、エレクトロニクス製品ユニット、半導体ユニット、チップ出力半導体，電源管理、MEMS、LCD ドライバー IC、指紋識別、組込み型メモリー、CMOS、モバイル通信、自動車用エレクトロニクス、IoT、産業用エレクトロニクス等の分野。

Bare wafer／Dummy wafer／coin-roll／Test wafer 2-12 inchウェーハ成膜、クロム（Cr）／アルミ（Al）／モリブデン（Mo）／シリコン（Si）／銅（Cu）／チタン（Ti）によるウェーハガラス成膜Bare wafer／Dummy wafer／coin-roll／Test wafer 2-12 inchウェーハ成膜、クロム（Cr）／アルミ（Al）／モリブデン（Mo）／シリコン（Si）／銅（Cu）／チタン（Ti）によるウェーハガラス成膜加工。テストウェーハ（Test wafer . Dummy wafer）、プライムウェーハ（prime wafer）、エピウェーハ（epi wafer）、加工シリコンチップ（Coating Si + oxide wafer）、アルミ成膜ウェーハ（Al wafer）、金成膜ウェーハ（Au wafer）、SOI wafer、SOC wafer。

適用産業

集積回路半導体の原料、DRAM、フォトダイオード、分離型ユニット、ソーラー電池の基板、エレクトロニクス製品ユニット、半導体ユニット、チップ出力半導体，電源管理、MEMS、LCD ドライバー IC、指紋識別、組込み型メモリー、CMOS等。

カセットケース／ウェーハケース／ウェーハ搬送フープ／ウェーハキャリアーは、清潔な密封隔離容器で、ウェーハを保存し、ウェーハの衝突、摩擦を防止し、汚れるリスクを低減し、安全を確保して、特殊な保存ニーズ、輸送または出荷に対する要求を満たします。ケースはサイズごとにシリコンウェーハ／石英／ガラス／サファイアを入れられます。

適用産業

ウェーハ保存、企業ラボ、学術ラボ、国家ラボ、クリーンルーム、半導体、光電、ソーラー電池、エレクトロニクス、パネル、ソーラー、LED等の分野。

半導体ウェーハガラス2インチ／4インチ／6インチ／8インチ／12インチ／。Wafer Glassは顧客が指定したガラス材を用いた超薄型ガラスウェーハで、マイクロ装置と光電産業で使われます。直径レンジ50mmから300mm、厚さレンジ0.2mmから1.8mm、高精度CNCおよび最先端レーザー設備で製作します。サイズ公差、TTV、いずれも優れています。

顧客のニーズに従って全面的なカスタマイズ加工が可能。ガラスの種類／厚さ／サイズを指定して加工

ガラス種類：導電性、光学、無アルカリ、石英、BK7、BK9、B270、Engle2000、EXG、D263といった各種ガラス。

適用産業

半導体産業、ウェーハ受託製造、ウェーハパッケージング試験、半導体設備、半導体関連に応用。

第三世代半導体とは、窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC） などの化合物半導体材料を指します。第一世代半導体（シリコン Si・ゲルマニウム Ge）や、第二世代半導体（ガリウムヒ素 GaAs・インジウムリン InP）と比べ、SiC と GaN はより優れた物理的および電気的特性を持っています。これら二つの材料は適用分野がやや異なります。GaN デバイスは主に 900V 以下の低電圧分野で使用され、SiC デバイスは最大 1,200V 以上の高電圧分野に適しています。第三世代半導体は高周波・高温環境でも優れた性能と安定性を維持し、スイッチング速度が速く、小型で放熱性に優れていることが特徴です。これによりチップ面積を大幅に削減でき、周辺回路の設計を簡略化し、モジュールの小型化や冷却システムの効率向上に貢献します。

適用産業

GaN は高周波・高出力用途に、SiC は高電圧・高効率システムに適しています。これらの材料は、電気自動車・5G 通信・航空宇宙、今後の成長産業に広く活用されています。